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晶体管
SCTH90N65G2V-7参考图片

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SCTH90N65G2V-7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-7 package
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V to 22 V
Qg-栅极电荷
157 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SCTH90N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCPF250N65S3R0L
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.91
参考库存:167303
AUIRFS3806TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
800:¥7.0512
参考库存:6305
APT5024SLLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥97.8128
5:¥93.9708
10:¥90.4452
25:¥83.0663
参考库存:42649
DMN3029LFG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W
1:¥3.0736
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.03734
参考库存:12312
PDTD143XUX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:42656

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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