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APTGT450SK60G

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100
¥909.0172
90901.72
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
在25 C的连续集电极电流
550 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
1.75 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5416U4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥877.897
参考库存:57194
ALD810018SCLI
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V
50:¥31.0411
100:¥29.041
250:¥26.2047
500:¥23.5153
参考库存:57199
2N4911
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥143.4648
250:¥131.8597
500:¥121.4072
参考库存:57204
RN1106MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
暂无价格
参考库存:57209
IFN5115
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel
107:¥61.3929
500:¥55.935
1,000:¥48.7143
参考库存:57214

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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