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晶体管
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CG2H30070F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
70 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440224
封装
Tray
工作频率
0.5 GHz to 3 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CG2H30070F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SCT2280KEC
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
1:¥76.9191
10:¥69.5402
25:¥66.3084
100:¥57.5509
250:¥54.9406
参考库存:7746
IGW50N65H5FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:5683
MUN2241T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:109050
FCX589TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:10487
NJVMJD45H11RLG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR
1:¥7.1416
10:¥5.989
100:¥3.842
1,000:¥3.0736
1,800:¥2.6103
参考库存:6454

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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