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晶体管
DMN3035LWN-7参考图片

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DMN3035LWN-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
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库存:16,666(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9606
29.606
100
¥1.808
180.8
1,000
¥1.4012
1401.2
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
V-DFN3020-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms, 45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.9 nC, 9.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.78 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3 mm
产品
Enhancement Mode MOSFET
系列
DMN3035
晶体管类型
2 N-Channel
类型
Enhancement Mode MOSFET
宽度
3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
2 ns, 2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.6 ns, 10.6 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 3 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847B/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:47262
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:47267
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
1,000:¥11.9102
2,000:查看
参考库存:16930
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:21932
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:47276
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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