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晶体管
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FF200R33KF2C

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数量单价合计
1
¥5,777.7578
5777.7578
5
¥5,685.3916
28426.958
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
否
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
3300 V
集电极—射极饱和电压
3.4 V
在25 C的连续集电极电流
330 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.2 kW
封装 / 箱体
IHM 73X140-8
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
73 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
4
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R33KF2CNOSA1 SP000100616
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVN3310A
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 100V
1:¥6.2263
10:¥5.2206
100:¥3.3674
1,000:¥2.7007
4,000:¥2.7007
参考库存:27607
IRF3415PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
1:¥13.1419
10:¥11.2209
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.5088
参考库存:16404
ZTX605
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
参考库存:30581
FS100R07N2E4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥740.4325
5:¥726.8273
10:¥694.0912
25:¥670.9714
参考库存:1248
SI5504BDC-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
1:¥7.8422
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:47485

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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