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晶体管
CGH60060D-GP4参考图片

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CGH60060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
高度
100 um
长度
2.86 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
4 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2065UW-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K
暂无价格
参考库存:49117
MMUN2236LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:153438
APT36N90BC3G
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥167.5903
5:¥160.0532
10:¥155.0586
25:¥142.4591
参考库存:49124
SI8808DB-T2-E1
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥2.0001
500:¥1.6498
3,000:¥1.1639
6,000:查看
参考库存:28360
DMN3150L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:120487

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    50万现货SKU

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