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晶体管
CGH60060D-GP4参考图片

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CGH60060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
高度
100 um
长度
2.86 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
4 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SUD40N10-25-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3
1:¥24.0464
10:¥19.8993
100:¥16.4415
250:¥15.9104
2,000:¥11.4469
4,000:查看
参考库存:24805
BUK9614-55A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.9777
500:¥5.2884
800:¥4.1697
参考库存:25507
DDB6U134N16RR
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1600V 134A UN-CNTL
1:¥569.6104
5:¥559.1692
10:¥544.6374
25:¥533.9589
参考库存:25512
IPA65R380C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.684
参考库存:2497
2N3822
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -50V JFET 10mA 300mW 2mW VHF SS Amp
1:¥84.298
10:¥69.0769
100:¥57.3249
500:¥52.2512
参考库存:25519

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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