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晶体管
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SPD06N60C3ATMA1

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数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.379
937.9
500
¥8.1473
4073.65
2,500
¥6.328
15820
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
680 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5.6 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SP001117770 SPD06N60C3
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MUN2135T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:168651
STP62NS04Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch Clamped 62 Amp
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0173
参考库存:11058
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
1:¥12.4526
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0286
参考库存:4680
IRF6712STRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
4,800:¥4.0454
9,600:查看
参考库存:27437
ZXM62P02E6TA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.3391
参考库存:27939

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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