RN2112MFV(TPL3)原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	22 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min	400
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2112
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	120
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NTMFS4C022NT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRENCH 6 30V NCH	1:¥5.989 10:¥5.0059 100:¥3.2318 1,000:¥2.5764 1,500:¥2.1809	参考库存:11875
FDT86246L	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET	1:¥4.6895 10:¥3.9324 100:¥2.5425 1,000:¥2.034 4,000:¥1.7176	参考库存:53242
IRF40R207	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRENCH_MOSFETS	1:¥6.3054 10:¥5.2658 100:¥3.4013 1,000:¥2.7233 2,000:¥2.7233	参考库存:22604
FDMC7664	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench	1:¥8.6784 10:¥7.4241 100:¥5.7065 500:¥5.0398 3,000:¥3.5256 9,000:查看	参考库存:20216
NTLJS4114NTAG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET WDFN6 30V 7.8A	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419 3,000:¥1.5594	参考库存:19853