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FS150R17KE3G

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库存：54,664(价格仅供参考)
数量单价合计
4
¥2,771.1555
11084.622
8
¥2,604.1076
20832.8608
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
240 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
EconoPACK+
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
162 mm
宽度
150 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
4
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R17KE3GBOSA1 SP000101750
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHF8N50L-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:25795
RN1317(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:47575
RN2115,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:25802
BUK9Y8R7-60E,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 8.7 mo FET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:7582
PDTC144ET,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:117474

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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