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晶体管

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RN1132MFV(TPL3)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 50volts 100mA 3Pin 200Kohms x 0ohms
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
200 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
150 mW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN1132MFV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
50 V
直流电流增益 hFE 最大值
700
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
高度
0.5 mm
长度
1.2 mm
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度
0.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH/100V/3.6A 1.05OHM
2,500:¥2.3165
10,000:¥2.2374
25,000:¥2.147
参考库存:50120
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
10,000:¥0.23052
20,000:¥0.20792
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.15368
参考库存:50125
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
1:¥15.2889
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
800:¥7.119
参考库存:11420
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:50132
晶体管
JFET P-Ch JFET 30Vgd Engineering Hold
6,000:¥1.6837
9,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
45,000:¥1.5368
参考库存:50137
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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