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2SA1943-R(Q)

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 230 V
集电极—基极电压 VCBO
230 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SA1943
高度
26 mm
长度
20.5 mm (Max)
宽度
5.2 mm (Max)
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDS6699S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
1,000:¥4.8816
2,500:¥4.8816
参考库存:6543
CMXT3904 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:29770
FQP3N60C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
参考库存:21667
FQB8N60CTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3111
800:¥7.3111
参考库存:7389
ECH8102-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 12A 30V
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6498
参考库存:19816

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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