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晶体管
CMUDM8005 TR参考图片

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CMUDM8005 TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 650mA 300mW
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数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.9946
49.946
100
¥3.4691
346.91
1,000
¥2.5764
2576.4
3,000
¥2.1696
6508.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
650 mA
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraMini
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CMUDM8
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Central Semiconductor
正向跨导 - 最小值
200 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
38 ns
零件号别名
CMUDM8005 PBFREE TR
单位重量
2 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2221A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:55977
SSM3J120TU(TE85L)
Toshiba
晶体管
MOSFET Vds=-20V Id=-4A 3Pin
暂无价格
参考库存:55982
STGW60H65DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
1:¥38.42
10:¥32.657
100:¥28.2726
250:¥26.8149
参考库存:9250
JANTX2N3867S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥272.556
250:¥254.4195
参考库存:55989
JAN2N5682
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥231.8986
250:¥212.8468
参考库存:55994

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