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晶体管
TGF2978-SM参考图片

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TGF2978-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
输出功率
19 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
33 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2978-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
零件号别名
1127373
单位重量
123 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHP6N40D-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥8.8366
10:¥7.2659
100:¥5.5709
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
参考库存:8664
2N6052
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
1:¥46.0249
10:¥45.6407
25:¥41.5727
100:¥37.4934
250:¥34.4198
参考库存:5596
2SA2222SG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 10A 50V
1:¥6.6105
10:¥5.6952
100:¥4.3731
500:¥3.8646
参考库存:12613
MMDT4413-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 / 40V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:34435
MJE5730G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 300V 40W PNP
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.3901
1,000:¥4.2601
参考库存:10182

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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