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晶体管
TGF2978-SM参考图片

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TGF2978-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
输出功率
19 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
33 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2978-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
零件号别名
1127373
单位重量
123 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847C-G
Comchip Technology
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIGNAL TRANSISTOR
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:41763
FDP032N08-F102
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta
1,000:¥17.3681
2,000:¥16.5206
5,000:¥15.9104
参考库存:41768
ZTX857
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
4,000:¥4.0906
参考库存:41773
APTGT200DU120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,004.5248
参考库存:41778
TSM8N80CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 800V 8A N Channel Power Mosfet
4,000:¥10.8367
5,000:¥10.4525
参考库存:41783

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    50万现货SKU

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