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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Id-连续漏极电流	21 A
Rds On-漏源导通电阻	158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	25 V
Qg-栅极电荷	50 nC
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	90 W
配置	Single
商标名	MDmesh
封装	Tube
系列	STP28NM50N
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel MDmesh II Power MOSFET
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	1.5 S
下降时间	52 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	62 ns
典型接通延迟时间	13.6 ns
单位重量	330 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANS2N2905AL/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	50:¥570.0737 100:¥558.0844	参考库存:52130
MX2N4092	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET	100:¥617.2512	参考库存:52135
ALD910018SALI	Advanced Linear Devices	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V	50:¥27.2782 100:¥25.5154 250:¥23.052 500:¥20.6677	参考库存:52140
JAN2N2218/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	213:¥40.7252 250:¥36.8041 500:¥33.0412 1,000:¥27.8206	参考库存:52145
IRLI620G	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLI620GPBF	1,000:¥16.5997 3,000:¥15.7522 5,000:¥15.2098	参考库存:52150