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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Id-连续漏极电流	21 A
Rds On-漏源导通电阻	158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	25 V
Qg-栅极电荷	50 nC
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	90 W
配置	Single
商标名	MDmesh
封装	Tube
系列	STP28NM50N
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel MDmesh II Power MOSFET
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	1.5 S
下降时间	52 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	62 ns
典型接通延迟时间	13.6 ns
单位重量	330 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DN3545N3-G	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 450V 20Ohm	1:¥5.2997 10:¥5.2206 25:¥4.4296 100:¥4.0341	参考库存:5624
BC557BTA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92 PNP GP AMP	1:¥1.7628 10:¥1.1639 100:¥0.48364 1,000:¥0.32996 2,000:¥0.26103	参考库存:102171
STE88N65M5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package	1:¥273.2453 5:¥270.4768 10:¥252.0352 25:¥240.7352	参考库存:3643
IRFHS8242TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC	1:¥3.7629 10:¥3.1301 100:¥1.9097 1,000:¥1.4803 4,000:¥1.2656	参考库存:29285
2V7002KT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET 60V 115MA 7MO	1:¥2.6103 10:¥1.7289 100:¥0.7458 1,000:¥0.56839 3,000:¥0.43053	参考库存:183352