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晶体管
CGHV59070F参考图片

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CGHV59070F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6.3 A
输出功率
76 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440224
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5.9 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥15.4471
10:¥12.8368
100:¥9.9892
500:¥8.6784
3,000:¥8.6784
参考库存:77868
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥10.9836
10:¥8.9948
100:¥7.458
500:¥5.7517
参考库存:13735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:297367
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
1:¥676.192
10:¥633.93
25:¥619.1044
50:¥604.3466
参考库存:47421
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:394349
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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