您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
BSM150GB120DN2参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BSM150GB120DN2

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:2,213(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,235.9714
1235.9714
5
¥1,206.2298
6031.149
10
¥1,176.2622
11762.622
25
¥1,159.7416
28993.54
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
210 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
1.25 kW
封装 / 箱体
Half Bridge2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM150GB120DN2HOSA1 SP000095942
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 150mW
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:25338
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:34060
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.8364
10:¥3.955
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
参考库存:10667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:23444
晶体管
MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.6839
100:¥3.6725
500:¥3.6725
1,000:¥2.938
参考库存:8196
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们