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产品分类

晶体管
IPU80R3K3P7AKMA1参考图片

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IPU80R3K3P7AKMA1

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库存:3,189(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.859
48.59
100
¥3.1301
313.01
1,000
¥2.5086
2508.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
IPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
18 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPU80R3K3P7 SP001636448
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:9857
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:56044
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 65V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:78366
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
参考库存:13238
晶体管
MOSFET 400V Dual N-Ch QFET
1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:32025
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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