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晶体管
FCP165N65S3参考图片

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FCP165N65S3

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
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数量单价合计
1
¥19.7524
19.7524
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
154 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SuperFET3
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD5NM60-1
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
参考库存:29979
PDTC124ET,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:96229
FP50R06W2E3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 600V 50A
1:¥373.1373
5:¥364.8318
10:¥348.1643
25:¥333.5647
参考库存:6836
IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥15.0629
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
5,000:¥6.667
10,000:查看
参考库存:7303
RN1905FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:29990

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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