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产品分类

晶体管
SQM100N10-10_GE3参考图片

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SQM100N10-10_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V 100A 375W AEC-Q101 Qualified
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库存:5,418(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.6679
24.6679
10
¥21.9785
219.785
100
¥17.9783
1797.83
250
¥14.5205
3630.125
800
¥12.2153
9772.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
185 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
115 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:346757
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:364789
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:25656
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:52903
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.3052
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:57255
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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