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晶体管
SIHP15N50E-GE3参考图片

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SIHP15N50E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.0572
140.572
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14.5 A
Rds On-漏源导通电阻
243 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC858BLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V PNP
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:119561
BC53-10PASX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:16148
RRF015P03GTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:18250
FS100R07PE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥890.1123
5:¥872.5973
10:¥831.9512
25:¥814.4249
参考库存:1182
IRLB4132PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.6105
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
参考库存:15114

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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