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IPW60R031CFD7XKSA1

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库存：6,167(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥99.0445
99.0445
10
¥91.0554
910.554
25
¥87.2925
2182.3125
100
¥76.9191
7691.91
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
141 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS CFD7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
175 ns
典型接通延迟时间
48 ns
零件号别名
IPW60R031CFD7 SP001617992
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJ11022G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 BIP T03 NPN 15A 250V
1:¥51.0195
10:¥46.104
50:¥43.957
100:¥38.194
参考库存:4944
MJ4502G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30A 100V 200W PNP
1:¥50.0251
10:¥45.1774
50:¥43.1095
100:¥37.4256
参考库存:4221
BFU520YX
NXP Semiconductors
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥5.3788
10:¥4.7008
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:11528
TK39J60W,S1VQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
1:¥74.919
10:¥67.461
25:¥61.472
100:¥55.483
参考库存:4600
STD95N4LF3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40 Volt 80 Amp
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
2,500:¥6.8704
5,000:查看
参考库存:15657

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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