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晶体管
IPP80R900P7XKSA1参考图片

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IPP80R900P7XKSA1

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库存:2,629(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2998
729.98
500
¥6.4523
3226.15
1,000
¥5.0963
5096.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP80R900P7 SP001633486
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 500 mA PNP gen purpose transistors
1:¥2.147
10:¥1.4351
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
5,000:¥0.32318
参考库存:26336
晶体管
MOSFET NMOS-Single
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:19473
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.91
10:¥6.4749
参考库存:8425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V PNP
1:¥1.1526
10:¥0.9831
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:132172
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2996
10:¥2.1244
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.52997
参考库存:24524
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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