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晶体管
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IRF100B201

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
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数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5997
165.997
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
192 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
170 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
278 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001561498
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM3N90CH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 900V 2.5A N Channel Power Mosfet
15,000:¥4.52
参考库存:36110
SI4652DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V 30A 6.0W
2,500:¥5.9212
5,000:¥5.7065
10,000:¥5.4805
参考库存:36115
IRLR3717TRRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC
6,000:¥3.8985
9,000:¥3.7629
24,000:¥3.6386
参考库存:36120
APTGT225DU170G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,487.0122
参考库存:36125
2N3019
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Planar Transistor
3,000:¥7.1077
6,000:¥6.328
9,000:¥5.6839
12,000:¥5.1754
参考库存:36130

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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