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SIHG47N60AEF-GE3参考图片

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SIHG47N60AEF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥68.8509
68.8509
10
¥62.0144
620.144
25
¥56.4774
1411.935
100
¥50.9404
5094.04
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
189 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
67 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
143 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STBB3NJR
STMicroelectronics
晶体管
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5,000:¥10.7576
参考库存:43238
PXAC192908FV-V1-R250
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:43243
SQD40N10-25-T4_GE3
Vishay / Siliconix
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MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD70140EL_GE3
2,500:¥4.6443
5,000:¥4.407
10,000:¥4.2375
参考库存:43248
BSM50GD120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE
10:¥1,054.9341
30:¥1,032.8087
参考库存:43253
P1086-TR
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel Reel of 1000
1,000:¥11.30
2,000:¥10.6785
5,000:¥10.2943
参考库存:43258

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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