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晶体管
STGB6M65DF2参考图片

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STGB6M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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库存:11,019(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB6M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
12 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
参考库存:1851
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 40V
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:23668
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOT-23 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:62665
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 625mW, 25V, 1.5A
1:¥1.6159
10:¥1.3334
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.23843
参考库存:1045347
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
参考库存:6719
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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