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晶体管
STGB6M65DF2参考图片

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STGB6M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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库存:11,019(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB6M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
12 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
5,000:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:78545
晶体管
MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
1,500:¥1.4464
参考库存:5572
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:21769
晶体管
MOSFET 30V N-Chnl UMOS
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:44951
晶体管
MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:32963
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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