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晶体管
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STGB6M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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库存：11,019(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB6M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
12 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK2P90E,RQS
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
1:¥7.2998
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
2,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:11875
IEWS20R5135IPBXKLA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥46.1831
10:¥39.2675
100:¥34.0356
250:¥32.2728
参考库存:6052
BSS84WQ-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
1:¥2.8476
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:90184
A1P25S12M3
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥281.7768
5:¥278.8501
10:¥259.8774
25:¥248.2723
参考库存:4231
NVD5C446NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V SL DPAK
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:15318

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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