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晶体管
RGTV60TS65GC11参考图片

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RGTV60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:3,678(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.6626
31.6626
10
¥26.894
268.94
100
¥23.3571
2335.71
250
¥22.1254
5531.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTV60TS65
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥3.0171
500:¥2.2261
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.469
参考库存:66000
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor SC-113DB/SOT-363
1:¥4.068
10:¥1.9775
100:¥1.356
500:¥1.11418
3,000:¥0.66896
9,000:查看
参考库存:44382
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
800:¥5.8534
参考库存:11004
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
2,000:¥2.9945
参考库存:11676
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.9325
参考库存:6358
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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