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晶体管
FF400R12KT3P_E参考图片

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FF400R12KT3P_E

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库存:1,609(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,394.2618
1394.2618
5
¥1,360.6782
6803.391
10
¥1,326.9477
13269.477
25
¥1,308.3592
32708.98
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
-
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R12KT3PEHOSA1 SP001232116
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:55977
晶体管
MOSFET Vds=-20V Id=-4A 3Pin
暂无价格
参考库存:55982
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
1:¥38.42
10:¥32.657
100:¥28.2726
250:¥26.8149
参考库存:9250
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥272.556
250:¥254.4195
参考库存:55989
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥231.8986
250:¥212.8468
参考库存:55994
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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