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晶体管
IAUT260N10S5N019ATMA1参考图片

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IAUT260N10S5N019ATMA1

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库存:15,143(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.8777
39.8777
10
¥33.8887
338.887
100
¥29.3574
2935.74
250
¥27.8884
6972.1
2,000
¥20.0575
40115
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
260 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
128 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
IAUT260N10S5N019 SP001676336
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
250:¥650.2924
参考库存:49300
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:49305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
24,000:¥0.63732
45,000:¥0.60681
参考库存:49310
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥0.35369
30,000:¥0.32996
50,000:¥0.30736
参考库存:49315
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥34.1938
209:¥34.1938
500:¥30.6569
1,000:¥25.8205
2,500:¥24.5888
参考库存:49320
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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