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产品分类

晶体管
FGD2736G3-F085参考图片

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FGD2736G3-F085

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库存:11,307(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.6388
763.88
500
¥6.7461
3373.05
2,500
¥4.7234
11808.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
360 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
14 V
在25 C的连续集电极电流
21 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
25 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
FGD2736G3_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 300Vcbo 300Vceo 6.0
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.7631
500:¥5.9777
1,000:¥5.4014
参考库存:13371
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:1091898
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥21.8994
10:¥19.8202
100:¥15.9104
500:¥12.3735
参考库存:8915
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:7202
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:60644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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