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晶体管
QPD1000参考图片

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QPD1000

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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库存:3,799(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
817 mA
输出功率
24 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
28.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-8
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 1.215 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131140
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.49946
20,000:查看
参考库存:93776
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥48.4883
10:¥41.1885
100:¥35.6515
250:¥33.8887
500:¥30.3518
参考库存:6303
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 53 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
参考库存:12535
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥18.2834
10:¥15.2098
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:7587
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched NPN 50Vcbo 50Vceo 350mW
1:¥5.2997
10:¥4.5313
100:¥3.1414
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:17134
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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