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晶体管
QPD1003参考图片

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QPD1003

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
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1
¥4,702.608
4702.608
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
15 A
输出功率
540 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
370 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
RF-565
封装
Tray
配置
Single
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1003PCB401
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131389
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:18094
晶体管
MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
1:¥7.7631
10:¥6.6105
100:¥5.0963
500:¥4.4974
2,500:¥3.1527
10,000:查看
参考库存:23401
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 50MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:22813
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power BipolarTransistor
1:¥3.7629
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
1,500:¥1.00683
参考库存:9480
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:14152
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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