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晶体管
IPN80R4K5P7ATMA1参考图片

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IPN80R4K5P7ATMA1

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库存:55,107(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.955
39.55
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥2.0453
2045.3
3,000
¥1.7176
5152.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPN80R4K5P7 SP001657536
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2204
250:¥1.2204
1,000:¥0.91417
参考库存:60131
晶体管
MOSFET 200v Vds 78.5A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:5688
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
参考库存:19075
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
1,500:¥1.8419
参考库存:17532
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
3,000:¥8.9157
6,000:查看
参考库存:17699
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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