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晶体管
DMP3028LK3-13参考图片

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DMP3028LK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.8419
4604.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3028
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
40.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60.5 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBT6427
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
暂无价格
参考库存:48568
JANTXV2N2222A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥54.3304
10:¥48.9516
25:¥44.5672
100:¥40.1828
参考库存:5266
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:254988
FF300R12KT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A DUAL
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥967.0314
参考库存:5190
APTGT35A120T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Trench Field Stop 1200V 55A 208W
1:¥374.6741
5:¥363.295
10:¥352.6165
25:¥330.638
参考库存:5317

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    50万现货SKU

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