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晶体管
IPC90N04S5L3R3ATMA1参考图片

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IPC90N04S5L3R3ATMA1

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库存:2,479(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.8534
58.534
100
¥3.7855
378.55
1,000
¥3.0284
3028.4
5,000
¥2.5538
12769
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
N Channel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
IPC90N04S5L-3R3 SP001418122
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,765.0744
参考库存:43817
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:43822
晶体管
MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm
5,000:¥1.5707
10,000:¥1.5142
25,000:¥1.4577
50,000:¥1.4125
参考库存:43827
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 4.4 mo FET
1,500:¥2.7685
9,000:¥2.6781
24,000:¥2.5877
参考库存:43832
晶体管
MOSFET -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥7.2998
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:16127
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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