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晶体管
SQV120N10-3M8_GE3参考图片

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SQV120N10-3M8_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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库存:4,999(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.4306
24.4306
10
¥20.2044
202.044
100
¥16.6788
1667.88
250
¥16.1364
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
190 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
高度
9.65 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.83 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
3,000:¥16.7466
参考库存:42839
晶体管
MOSFET ALTERNATE RRH075P03TTB1
2,500:¥3.7064
10,000:¥3.5708
25,000:¥3.4691
参考库存:42844
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3
暂无价格
参考库存:42849
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W 80Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:42854
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs Super-247
500:¥113.4181
参考库存:42859
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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