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晶体管
SQV120N10-3M8_GE3参考图片

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SQV120N10-3M8_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥24.4306
24.4306
10
¥20.2044
202.044
100
¥16.6788
1667.88
250
¥16.1364
4034.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
190 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
高度
9.65 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.83 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4918G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 40V 30W PNP
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.486
1,000:¥1.9775
参考库存:11518
2SC5566-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 50V
1:¥3.5369
10:¥2.9832
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
2,000:¥1.1978
参考库存:20930
DMG264020R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:22312
PEMH4,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.9154
10:¥1.9436
100:¥0.81473
1,000:¥0.5537
4,000:¥0.43844
参考库存:22849
APT20M20B2LLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥219.4573
5:¥210.9258
10:¥203.0158
25:¥186.4952
参考库存:4706

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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