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晶体管
STP100N8F6参考图片

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STP100N8F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:10,686(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2489
624.89
500
¥5.5257
2762.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP100N8F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.1474
25:¥8.4524
100:¥7.684
2,000:¥4.9607
参考库存:28347
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:28352
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 ES6 PLN
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:28357
晶体管
MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
参考库存:20137
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
1:¥2,209.2291
5:¥2,175.2613
10:¥2,142.9094
25:¥2,096.6585
50:¥2,064.4648
参考库存:28364
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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