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晶体管
FP150R12KT4参考图片

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FP150R12KT4

  • Infineon / IR
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库存:2,693(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,910.4684
1910.4684
5
¥1,864.4435
9322.2175
10
¥1,818.1926
18181.926
25
¥1,792.6772
44816.93
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
EconoPIM 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP150R12KT4BPSA1 SP001603812
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
5,000:¥4.3618
10,000:查看
参考库存:16423
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
1:¥1,272.0862
25:¥1,110.1798
参考库存:1235
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMB11/SOT1268 DFN1412-6
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
参考库存:26107
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:13069
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥15.9782
250:¥15.142
1,000:¥11.4469
2,000:查看
参考库存:5956
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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