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晶体管
FP150R12KT4参考图片

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FP150R12KT4

  • Infineon / IR
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库存:2,693(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,910.4684
1910.4684
5
¥1,864.4435
9322.2175
10
¥1,818.1926
18181.926
25
¥1,792.6772
44816.93
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
EconoPIM 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP150R12KT4BPSA1 SP001603812
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:9857
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:56044
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 65V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:78366
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
参考库存:13238
晶体管
MOSFET 400V Dual N-Ch QFET
1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:32025
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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