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晶体管
IKW40N60DTPXKSA1参考图片

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IKW40N60DTPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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库存:4,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.2673
35.2673
10
¥29.9676
299.676
100
¥25.9674
2596.74
250
¥24.6679
6166.975
500
¥22.1254
11062.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
Pd-功率耗散
246 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N60DTP SP001379680
单位重量
6.064 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥0.69947
24,000:¥0.65314
参考库存:46949
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
500:¥18.0574
1,000:¥15.2098
2,500:¥14.4414
5,000:¥13.9103
参考库存:46954
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
240:¥32.657
480:¥30.962
720:¥27.8206
1,200:¥23.4362
参考库存:46959
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
1:¥643.3768
5:¥630.9355
10:¥610.1096
25:¥584.2891
250:¥523.8906
参考库存:46964
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms
5,000:¥10.2943
参考库存:46969
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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