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晶体管
FCP650N80Z参考图片

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FCP650N80Z

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库存:9,774(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
162 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP650N80Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
7.8 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC
1:¥20.7468
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
1,000:¥10.2152
参考库存:7607
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms
1:¥20.2044
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥11.9893
参考库存:14724
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC
1:¥6.4523
10:¥5.5144
100:¥4.2375
500:¥3.7403
1,000:¥2.9606
4,000:¥2.9606
参考库存:55571
晶体管
MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.2939
参考库存:94923
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
1:¥7.458
10:¥6.1246
100:¥4.7008
参考库存:14310
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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