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晶体管
STGIPQ3H60T-HZ参考图片

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STGIPQ3H60T-HZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
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库存:3,602(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥56.0932
560.932
25
¥53.4829
1337.0725
100
¥46.4091
4640.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
封装 / 箱体
N2DIP-26
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
系列
STGIPQ3H60T-HZ
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
单位重量
4 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
1,500:¥1.7741
参考库存:313507
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SANYO BIPOLAR POWER NPN C
1:¥7.2207
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
参考库存:43196
晶体管
MOSFET Dual Ultrafast Power Diode
1:¥12.8368
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:43201
晶体管
MOSFET MOSFET_(20V,40V)_47
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
800:¥17.2099
2,400:查看
参考库存:6864
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥226.1356
5:¥217.299
10:¥209.163
25:¥192.1791
参考库存:43208
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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