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晶体管
SQJA90EP-T1_GE3参考图片

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SQJA90EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
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库存:17,451(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5653
656.53
500
¥5.65
2825
1,000
¥4.4635
4463.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9267
3,000:¥2.1244
6,000:查看
参考库存:33427
晶体管
MOSFET T6 60V LL DPAK
1:¥6.2263
10:¥5.198
100:¥3.3561
1,000:¥2.6894
2,500:¥2.2713
参考库存:47579
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
2,500:¥5.0737
参考库存:18366
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
1:¥17.289
10:¥14.6787
100:¥11.752
500:¥10.2943
2,500:¥7.9891
5,000:查看
参考库存:3518
晶体管
MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.8817
500:¥5.3788
3,000:¥3.8985
6,000:查看
参考库存:16670
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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