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产品分类

晶体管
IKW50N60DTPXKSA1参考图片

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IKW50N60DTPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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库存:9,961(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.7986
39.7986
10
¥33.8887
338.887
100
¥29.3574
2935.74
250
¥27.8206
6955.15
500
¥24.973
12486.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
319.2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60DTP SP001379678
单位重量
6.065 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,623.9278
2:¥2,580.129
5:¥2,537.7992
10:¥2,496.8367
25:¥2,406.8548
参考库存:45108
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:45113
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
2,500:¥28.589
参考库存:45118
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4408
25,000:¥2.3391
参考库存:45123
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50A CC15 FAST RECT
667:¥6.5766
1,000:¥5.1867
2,500:¥4.5991
10,000:¥4.4296
参考库存:45128
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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