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晶体管
SUD80460E-GE3参考图片

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SUD80460E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
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库存:10,075(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.0568
60.568
100
¥4.5991
459.91
500
¥3.7968
1898.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
37.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
45,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:442325
晶体管
IGBT 模块
100:¥699.0858
参考库存:42437
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp
2,000:¥3.4239
10,000:¥3.2883
26,000:¥3.1866
参考库存:42442
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
3,000:¥49.7878
参考库存:42447
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1,000:¥16.1364
2,000:¥15.368
5,000:¥14.8256
参考库存:42452
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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