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晶体管
DMT6004LPS-13参考图片

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DMT6004LPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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库存:18,366(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2772
727.72
500
¥6.4297
3214.85
1,000
¥5.0737
5073.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
96.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.8 mm
系列
DMT6004
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
32.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.5 ns
典型接通延迟时间
9.9 ns
单位重量
96 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
1:¥14.2154
10:¥12.8368
100:¥10.3734
500:¥8.0682
参考库存:3577
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Pwr Amp
1:¥46.4882
10:¥41.5727
100:¥37.8776
250:¥34.1938
500:¥27.6624
参考库存:3994
晶体管
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.8314
10:¥14.8256
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
3,000:¥8.3733
参考库存:148476
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.6895
100:¥3.5934
500:¥2.6555
2,500:¥1.8758
5,000:查看
参考库存:3583
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:4375
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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