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晶体管
TGF2929-HM参考图片

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TGF2929-HM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
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数量单价合计
25
¥2,600.5707
65014.2675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
输出功率
132 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
140 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
DC to 3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
TGF
商标
Qorvo
开发套件
TGF2929-HM EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1135635
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32V 2A
1:¥5.2997
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.9097
参考库存:45788
晶体管
MOSFET 30V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.2318
100:¥2.3956
500:¥1.7628
2,500:¥1.2091
5,000:查看
参考库存:45793
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA TR
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:45798
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3
1:¥7.6049
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
3,000:¥3.2883
参考库存:45803
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:45808
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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