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晶体管
STW50N65DM2AG参考图片

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STW50N65DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:6,005(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.093
52.093
10
¥47.0984
470.984
25
¥44.9514
1123.785
100
¥39.0302
3903.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
87 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW50N65DM2AG
晶体管类型
1 N-Channel
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
22.5 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power
1:¥14.0572
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2207
参考库存:4033
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:179640
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
参考库存:27422
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:163749
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.61472
参考库存:14156
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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