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晶体管
IFF600B12ME4PB11BPSA1参考图片

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IFF600B12ME4PB11BPSA1

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库存:3,781(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,964.4146
1964.4146
5
¥1,917.158
9585.79
10
¥1,869.5172
18695.172
25
¥1,843.3125
46082.8125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
15 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001377694
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥1.921
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:181924
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:56576
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K
3,000:¥0.65314
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:25153
晶体管
MOSFET FDG6335N
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.582
参考库存:11933
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 40V 100mA
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:29435
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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