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晶体管
FGH75T65SHDT-F155参考图片

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FGH75T65SHDT-F155

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库存:7,031(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥53.7089
53.7089
10
¥48.5674
485.674
25
¥46.2622
1156.555
100
¥40.1828
4018.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
455 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH75T65SHDT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH75T65SHDT_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:51880
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:51885
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
4,000:¥1.2769
参考库存:51890
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 50mA 350mW 2.8mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:51895
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR110TRPBF
2,000:¥10.4525
4,000:¥10.0683
参考库存:51900
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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