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晶体管
STW36N60M6参考图片

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STW36N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:4,077(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1093
39.1093
10
¥33.2672
332.672
100
¥28.815
2881.5
250
¥27.3573
6839.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW36N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.2 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥7.2207
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
1,500:¥2.9154
9,000:查看
参考库存:15543
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:48637
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
10,000:¥0.7458
参考库存:48642
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 10K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:508305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GenPurpTranstr
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:48649
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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