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晶体管
RGTV00TS65DGC11参考图片

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RGTV00TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:6,126(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.8725
48.8725
10
¥41.4936
414.936
100
¥36.0357
3603.57
250
¥34.1938
8548.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
95 A
Pd-功率耗散
276 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
95 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTV00TS65D
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
1:¥4.0002
10:¥2.2939
100:¥1.3334
500:¥1.08367
3,000:¥0.67574
9,000:查看
参考库存:53432
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS TAPE-7
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:34954
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥382.8214
5:¥369.9055
10:¥357.9162
25:¥331.0222
参考库存:4096
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
参考库存:16683
晶体管
达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power PNP
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
2,500:¥1.5142
参考库存:16260
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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